Leírás és Paraméterek
Samsung MZ-VAP4T0CW
•
Kapacitás: 8 TB
•
Interfész: PCIe Gen 5.0 x4, NVMe 2.0
•
Forma: M.2 (2280)
•
Méretek: 80,15 x 25 x 8,88 mm (hűtőbordával)
•
Tömeg: legfeljebb 30 g
•
NAND flash memória: Samsung V-NAND TLC (236 réteg)
•
Kontroller: Samsung saját fejlesztésű (5 nm)
•
DRAM cache memória: 4 GB LPDDR4X
•
Szekvenciális olvasási sebesség: legfeljebb 14 800 MB/s
•
Szekvenciális írási sebesség: legfeljebb 13 400 MB/s
•
Véletlenszerű olvasás (4KB, QD32): legfeljebb 2 200 000 IOPS
•
Véletlenszerű írás (4KB, QD32): legfeljebb 2 600 000 IOPS
•
Átlagos energiafogyasztás (olvasás/írás): 9,0 W / 8,2 W
•
Energiafogyasztás (készenléti állapot): legfeljebb 6,5 mW
•
L1.2 mód fogyasztás: legfeljebb 5,7 mW
•
Üzemi hőmérséklet: 0°C - 70°C
•
Nem üzemi hőmérséklet: -40°C - 85°C
•
Ütésállóság: 1 500 G, 0,5 ms (fél szinusz hullám)
•
MTBF (átlagos meghibásodásmentes idő): 1,5 millió óra
•
TBW (írási terhelhetőség): 2 400 TB
•
Titkosítás: AES 256-bit, TCG/Opal 2.0, IEEE1667
•
Támogatott funkciók: TRIM, S.M.A.R.T, Garbage Collection, Dynamic Thermal Guard
•
Szoftver: Samsung Magician
•
RoHS megfelelőség: Igen
•
Kompatibilitás: PCIe 5.0 rendszerekkel és PlayStation 5-tel
TISZTELT VÁSÁRLÓNK!
Fizetésnél kérje az ingyenes adattörlő kódot adatainak biztonsága érdekében! A Kormány döntése alapján a kereskedő minden tartós adathordozó termék vásárlásakor köteles ingyenes adattörlő kódot biztosítani. További információk a Nemzeti Média- és Hírközlési Hatóság honlapján »
